汽車抖動(dòng)最常見(jiàn)的原因是節(jié)氣門太臟或噴油器積碳太多,。當(dāng)發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部積碳過(guò)多時(shí),，冷啟動(dòng)噴油頭噴出的汽油會(huì)被大量積碳吸收，造成冷啟動(dòng)混合氣過(guò)稀,，啟動(dòng)困難,。在這種情況下，只有吸附了積碳的汽油飽和時(shí)才容易發(fā)動(dòng)汽車,，發(fā)動(dòng)汽車后吸附在積碳上的汽油會(huì)被發(fā)動(dòng)機(jī)的真空吸力吸入氣缸內(nèi)燃燒,，使混合氣變濃，發(fā)動(dòng)機(jī)可燃混合氣變稀變濃,，造成冷啟動(dòng),。溫度越低，冷啟動(dòng)所需的油量越大,，積碳越多,，會(huì)影響冷啟動(dòng)的成功。解決方法:清洗油路,，檢查怠速電機(jī)是否有積碳,，應(yīng)清洗干凈。
原因:1。發(fā)動(dòng)機(jī)積碳嚴(yán)重,。2.點(diǎn)火系統(tǒng)有問(wèn)題,。
3.油壓不穩(wěn)定。4.發(fā)動(dòng)機(jī)部件老化,。
1.發(fā)動(dòng)機(jī)積碳嚴(yán)重,。
汽車抖動(dòng)最常見(jiàn)的原因是節(jié)氣門太臟或噴油器積碳太多,。當(dāng)發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部積碳過(guò)多時(shí)，冷啟動(dòng)噴油頭噴出的汽油會(huì)被大量積碳吸收,，造成冷啟動(dòng)混合氣過(guò)稀,，啟動(dòng)困難。在這種情況下,，只有吸附了積碳的汽油飽和時(shí)才容易發(fā)動(dòng)汽車,，發(fā)動(dòng)汽車后吸附在積碳上的汽油會(huì)被發(fā)動(dòng)機(jī)的真空吸力吸入氣缸內(nèi)燃燒，使混合氣變濃,，發(fā)動(dòng)機(jī)可燃混合氣變稀變濃,，造成冷啟動(dòng)。溫度越低,，冷啟動(dòng)所需的油量越大,，積碳越多，會(huì)影響冷啟動(dòng)的成功,。解決方法:清洗油路,，檢查怠速電機(jī)是否有積碳，應(yīng)清洗干凈,。
2.點(diǎn)火系統(tǒng)問(wèn)題
檢查火花塞,、高壓線和點(diǎn)火線圈的工作情況。如果點(diǎn)火系統(tǒng)不好用,，火花塞不跳,，也會(huì)導(dǎo)致這樣的故障。解決方法:檢查火花塞積碳過(guò)多,，更換火花塞,。
3.油壓不穩(wěn)定
如果已經(jīng)清理了發(fā)動(dòng)機(jī)積碳，清洗了節(jié)氣門,，更換了油墊和火花塞等,。，并且在怠速時(shí)仍然發(fā)現(xiàn)車身抖動(dòng),，建議您去4S店檢查供油壓力和進(jìn)氣壓力傳感器是否正常,，如果油泵供油壓力異常，或者進(jìn)氣壓力傳感器的值錯(cuò)誤且工作不良,，會(huì)導(dǎo)致車身抖動(dòng),。解決方法:檢查油壓，必要時(shí)更換零件,。
4.發(fā)動(dòng)機(jī)部件老化
汽車抖動(dòng)也與發(fā)動(dòng)機(jī)腳(也稱為爪墊)老化有關(guān),。發(fā)動(dòng)機(jī)腳其實(shí)就是發(fā)動(dòng)機(jī)的減震器系統(tǒng)。發(fā)動(dòng)機(jī)腳負(fù)責(zé)吸收發(fā)動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的輕微振動(dòng)。如果發(fā)動(dòng)機(jī)底座有問(wèn)題,，這些振動(dòng)會(huì)傳遞到方向盤(pán)和駕駛室,，造成怠速時(shí)的振動(dòng)。解決方案:更換零件,。
優(yōu)點(diǎn)：紫外吸收檢測(cè)器不僅靈敏度高、噪音低,、線性范圍寬,、有較好的選擇性,而且對(duì)環(huán)境溫度、流動(dòng)相組成變化和流速波動(dòng)不太敏感,因此既可用于等度洗脫,也可用于梯度洗脫.紫外檢測(cè)器對(duì)流速和溫度均不敏感,可于制備色譜.由于靈敏高,因此即使是那些光吸收小,、消光系數(shù)低的物質(zhì)也可用UV檢測(cè)器進(jìn)行微量分析. 缺點(diǎn)：不足之處在于對(duì)紫外吸收差的化合物如不含不飽和鍵的烴類等靈敏度很低.
敏感肌一般出現(xiàn)的遺傳性很少，多半是后天不良護(hù)膚習(xí)慣導(dǎo)致,，去角質(zhì)做清潔面膜的很多,，看美妝博主要每天卸妝做清潔，很多姐妹可能被熏陶了,，如果你是敏感肌溫和潔面首要,，盡量少用去角質(zhì)清潔力度大的，磨砂力強(qiáng)的,，要精簡(jiǎn)護(hù)膚,，可以用含有修復(fù)能力成分的產(chǎn)品,，幫助增強(qiáng)角質(zhì)
場(chǎng)效應(yīng)管主要有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）、MOS兩大類,，當(dāng)然個(gè)人認(rèn)為IGBT也可歸為場(chǎng)效應(yīng)管,。
其中JFET比較冷門，但并不是說(shuō)它就一無(wú)是處,。JFET因其低噪聲的優(yōu)勢(shì),，常常作為運(yùn)放的輸入級(jí)。比如我們常用的運(yùn)放TL084就是JFET作為輸入差分對(duì)的運(yùn)放,。當(dāng)然,，現(xiàn)在TL084的參數(shù)指標(biāo)在同類運(yùn)放中已經(jīng)平淡無(wú)奇。
圖1 TL084的原理圖簡(jiǎn)圖
IGBT結(jié)合了MOS和BJT的優(yōu)點(diǎn),，但主要用于高壓大電流下功率開(kāi)關(guān),。比如高鐵上的變流器就有IGBT整流模塊。從圖2和圖3可以看出IGBT與功率MOS在結(jié)構(gòu)上是很相似的,，最大的區(qū)別在于IGBT在N型漂移區(qū)下有一層重?fù)诫s的P型襯底作為IGBT的集電極（這是對(duì)N溝道器件而言,，對(duì)P溝道器件則要反一下）。
圖2 N溝道功率IGBT結(jié)構(gòu)示意圖
圖3 N溝道功率MOS管結(jié)構(gòu)示意圖
接下來(lái)就重點(diǎn)講MOS管了。在當(dāng)前電子科技中,，MOS管可謂無(wú)處不在,，可以說(shuō)MOSFET技術(shù)是當(dāng)前半導(dǎo)體工業(yè)的基石，尤其是CMOS,。在集成電路中,，尤其是數(shù)字集成電路，如CPU,、FPGA,、DRAM等等，絕大多數(shù),，注意是絕大多數(shù)集成電路使用的是CMOS工藝,。所謂的CMOSFET，即互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,，即芯片上既有NMOS又有PMOS晶體管的半導(dǎo)體工藝,。我們可以看一個(gè)最簡(jiǎn)單的數(shù)字電路里的CMOS反相器
圖4 CMOS反相器原理圖
圖5 CMOS反相器結(jié)構(gòu)示意圖
從圖5中可以看到，PMOS是做在一個(gè)N阱中,。CMOS工藝是一種平面工藝,，與圖2所示的功率MOS的垂直工藝是不同的。早期還有NMOS工藝,，即芯片上只有NMOS,，而圖4中PMOS的位置只是一個(gè)電阻，這樣工藝更簡(jiǎn)單,。但由于電阻的存在,，導(dǎo)致NMOS工藝功耗大，開(kāi)關(guān)頻率低,。
當(dāng)今半導(dǎo)體業(yè)界,，如臺(tái)積電、三星,、intel和中芯國(guó)際等的12英寸線大部分都是CMOS工藝,。MOS工藝占如此高的比例，自然有它的優(yōu)勢(shì),，只不過(guò)優(yōu)勢(shì)不在單管性能上,。
1. MOS工藝簡(jiǎn)單，需要的掩膜（Mask）層數(shù)少,，這樣就使得成大為降低,；
2. 幾乎無(wú)柵極電流，功耗更??；
3. 相比Bipolar晶體管基極輸入到發(fā)射極有一個(gè)的二極管,，CMOS工藝柵極輸入無(wú)二極管反向恢復(fù)時(shí)間的問(wèn)題，開(kāi)關(guān)頻率可以更高,；
4. 更容易驅(qū)動(dòng),，顯然圖4中的NMOS和PMOS是不能簡(jiǎn)單地用BJT NPN和PNP三極管代替的。
在集成電路領(lǐng)域,，遵循摩爾定律演進(jìn)的半導(dǎo)體工藝就是CMOS工藝,。那么除了上述優(yōu)點(diǎn)，MOS管是否還有其他優(yōu)點(diǎn),？在開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域,，現(xiàn)在除了高壓高電流下的IGBT，幾乎全部是用MOS管來(lái)做開(kāi)關(guān),。任意選一個(gè)開(kāi)關(guān)電源方案,，凌特的LT8610，這是一個(gè)集成了內(nèi)部開(kāi)關(guān)的控制器,，見(jiàn)圖6
圖6 LT8610開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器
可以看到,，作為一個(gè)Bulk式開(kāi)關(guān)電源，在圖6中并沒(méi)有看到肖特基二極管,，這是因?yàn)長(zhǎng)T8610是一個(gè)同步整流控制器,，用一個(gè)MOSFET取代了肖特基二極管，以提高電源效率,。
再來(lái)看它的內(nèi)部框圖
圖7 LT8610內(nèi)部框圖
可以看到LT8610內(nèi)部集成了兩個(gè)MOS管,，其中M1是Bulk開(kāi)關(guān)管，而M2是同步整流管,。用MOS做同步整流管是因?yàn)镸OS管是單載流子器件,，即在MOS管開(kāi)通后，NMOS管溝道中只有電子參與導(dǎo)電,，而PMOS溝道中只有空穴參與導(dǎo)電,，因此對(duì)于NMOS電流既可以從漏極流到源極，也可以從源極流到漏極,。其次，由于是單載流子導(dǎo)電器件,，MOS管導(dǎo)通后,，源漏之間沒(méi)有飽和壓降，只有一個(gè)幾mΩ到幾十mΩ的電阻,，也沒(méi)有二極管反向恢復(fù)時(shí)間的問(wèn)題,。能夠取得比用肖特基二極管更低的功率消耗。
最后再補(bǔ)充一點(diǎn)：LT8610中,，兩個(gè)MOS都是N型的,，為了使上管M1能充分驅(qū)動(dòng)，需要用到自舉電容（圖6中SW和BST之間的100nF的電容）
當(dāng)色譜儀出現(xiàn)故障時(shí),，不要急于動(dòng)手,。首先要回顧和審視以往的情況，查閱過(guò)去的維修記錄,，判斷保留時(shí)間是否有改變,；基線漂移和噪聲跟以往有何不同；峰形有沒(méi)有改變等,，然后再著手去排除故障,，不要就事論事，頭痛醫(yī)頭,，腳痛醫(yī)腳,。這樣往往會(huì)忽視或不注意別的信息，造成事倍功半,。
2,、先外部后內(nèi)部
故障究竟發(fā)生在儀器的內(nèi)部還是外部，一般的檢查方法是先外部后內(nèi)部,，即先檢查,，通過(guò)人的感官便能確定故障的部位，然后再打開(kāi)外殼查看內(nèi)部的部件,。外部檢查主要包括如下內(nèi)容：
①載氣和各種輔助氣體它們的壓力,、流速和載氣線速度是否正常；
③溫度色譜柱,、進(jìn)樣器,、檢測(cè)器以及傳輸管線的溫度指示值是否正常；
③氣體管線和過(guò)濾器是否清潔干凈,，吸附劑是否飽和,，有沒(méi)有泄漏；
④進(jìn)樣器及連接管線的消耗品隔墊,、O形圈,、墊片和密封圈是否損壞，漏氣和吸附}
⑤注射器和進(jìn)樣閥操作是否規(guī)范,，有無(wú)泄漏,，針的尖銳程度和干凈性；
⑥樣品的完整性濃度,、存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)時(shí)間是否有變化,；
⑦數(shù)據(jù)處理機(jī)連接和設(shè)定值是否合適。
開(kāi)機(jī)內(nèi)部檢查主要包括如下內(nèi)容：
①機(jī)內(nèi)電源指示燈,、電子管或其他發(fā)光元件是否通電發(fā)亮,；
②有無(wú)高壓打火,、放電、冒煙現(xiàn)象,；
③機(jī)內(nèi)有無(wú)特殊氣味,，如變壓器電阻等因絕緣層燒壞而發(fā)出的焦煳味。
3,、先整體后局部
氣相色譜儀是一個(gè)完整的分析系統(tǒng),，主要包括五個(gè)部分：載氣系統(tǒng)、進(jìn)樣系統(tǒng),、色譜柱,、檢測(cè)器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。其中任何一部分的不正常都會(huì)引起故障的發(fā)生,，所以要綜觀整臺(tái)儀器的現(xiàn)象,，大致估計(jì)問(wèn)題出在哪一部分。如無(wú)法估計(jì),，則可采用分段檢查,，如懷疑某一部分不正常，可從大段到小段步步壓縮,，迅速而準(zhǔn)確地判斷故障出在哪個(gè)環(huán)節(jié),。故障范圍限定在很小的局部，處理起來(lái)就十分方便,。
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